本报首尔电
全球最大存储芯片制造商韩国三星电子公司23日宣布，公司将与德国英飞凌科技、新加坡特许半导体、美国IBM和飞思卡尔半导体等四家公司联合开发新技术。
三星电子在声明中表示，它与其他四家企业将在2010年前联手使用其32纳米半导体制造工艺开发非存储芯片技术。该项目将通过协同效应，打造出“高性能、低能耗”的芯片。
据悉，三星在动态随机存储器和NAND闪存领域优势明显，但在整个半导体市场(包括存储芯片以及非存储芯片)其收入却远远落后于同行英特尔。业内人士指出，三星此举将大大促进其非存储芯片技术的发展。 |
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