4月26日，在2026北京国际汽车展览会期间，中国汽车芯片产业创新战略联盟与深圳方正微电子有限公司（简称：“方正微电子”）联合举办发布会，该发布会以“方正微电子车规SiC MOSFET出货量破3000万颗暨G3新平台产品发布”为主题。在发布会上，方正微电子宣布车规级碳化硅（SiC）MOSFET芯片累计出货量突破3000万颗，并同步发布全新一代车规级SiC MOSFET——G3新平台系列产品。

第三代半导体碳化硅MOSFET作为新能源汽车主驱逆变器的核心器件，被广泛视为电驱系统的关键“心脏”。在新能源汽车渗透率持续提升的背景下，其性能与可靠性直接影响整车效率与续航表现。此次3000万颗的出货规模，意味着方正微电子产品已在大规模真实应用场景中完成验证，也标志着国产碳化硅功率器件在量产能力与市场应用层面迈入新阶段。

方正微电子总裁吴伟涛在会上表示，这一出货规模背后，是量产客户在实际行驶里程和复杂工况中的长期验证结果，体现了公司在规模化量产、质量一致性以及全球市场渗透方面已获得主要客户认可。

从产业角度看，碳化硅作为第三代半导体的核心材料，正成为新能源汽车电驱系统升级的重要方向。相比传统硅基器件，其在效率、损耗及高温性能方面具备明显优势，但产业化门槛较高，对材料、工艺及可靠性体系提出更高要求。方正微电子作为国内较早布局该领域的企业之一，近年来持续推进从衬底材料、器件设计到晶圆制造与封装测试的垂直整合能力建设，逐步形成IDM模式。

在量产与可靠性方面，方正微电子披露其碳化硅MOSFET主机芯片良率已超过85%，车规级产品均通过AEC-Q101认证，并完成远高于行业通用标准的可靠性验证。2025年，其主驱芯片已规模在国产高端新能源乘用车、商务车上实现应用，客户侧质量表现超国际头部友商产品。

与此同时，在本次发布会上，方正微电子副总裁彭建华介绍了新一代G3平台以及1200V 11mΩ产品的核心性能指标。在标准测试条件下，该平台产品导通电阻低至11毫欧，在同类产品中具备较强竞争力。更为关键的是，在175℃高结温下仍能保持稳定的导通表现，有助于在车辆长时间高负荷运行场景中降低能量损耗。“对于新能源汽车来说，高温工况下的性能表现尤为关键。”彭建华表示，G3平台在高温环境中的稳定性，将直接转化为更高的系统效率和更稳定的动力输出。

在应用层面，方正微电子的车规级碳化硅产品已覆盖主驱逆变器之外的多个关键场景，包括车载充电机（OBC）、DC-DC转换器及高压配电单元（PDU）等。同时，公司亦在快速推进碳化硅器件在光储充、Ai数据中心以及eVTOL等领域的应用拓展。

在产能方面，方正微电子已建成8英寸碳化硅量产线及6英寸研发与量产兼容线，具备规模化生产能力。未来，公司规划将持续扩大车规级产能，以满足新能源汽车及相关应用领域的增长需求。

在新能源汽车产业进入深度竞争阶段的背景下，功率半导体正从“可用”向“高性能、低成本、规模化”演进。方正微电子此次披露的出货规模与新品进展，显示出国内企业在碳化硅赛道的持续突破。不过，其在全球市场的长期竞争力，仍有赖于技术迭代、成本控制及客户结构拓展等多方面能力的进一步验证。